近日，工信部原材料工業(yè)司發(fā)布《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2024年版）》（征求意見(jiàn)稿），公開(kāi)征求社會(huì)各界意見(jiàn)，要求11月24日前反饋意見(jiàn)。其中，多項(xiàng)先進(jìn)陶瓷材料入選。
1、原位自生陶瓷顆粒鋁基復(fù)合材料
性能要求：
（1）高強(qiáng)度鑄造陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥410MPa，彈性模量≥85GPa，延伸率≥2%；
（2）高模量鑄造陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥360MPa，彈性模量≥90GPa，延伸率≥0.5%；
（3）高塑性鑄造陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥350MPa，彈性模量≥73GPa，延伸率≥14%；
（4）超高強(qiáng)變形陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥805MPa，彈性模量≥76GPa，延伸率≥8%；
（5）高抗疲勞變形陶鋁材料：抗拉強(qiáng)度≥610MPa，彈性模量≥83GPa，延伸率≥6%。
2、鋁基碳化硅復(fù)合材料
性能要求：室溫?zé)釋?dǎo)率≥200W/(m·K)，抗彎折強(qiáng)度≥500MPa，熱膨脹系數(shù)（RT～200℃）≤9ppm/℃。
3、納米陶瓷隔熱涂層材料
性能要求：太陽(yáng)光反射比≥90%，半球發(fā)射率≥0.87，涂層厚度0.3～0.45毫米，附著力優(yōu)于1級(jí)，延展率≥30%，彈性良好，BI級(jí)防火，防腐性能良好。
4、高性能微晶玻璃
性能要求：（1）零膨脹微晶玻璃：膨脹系數(shù)為 0±0.02×10-6/℃，熱脹系數(shù)均勻性≤±0.01×10-6/℃，5mm 厚樣品632.5nm透過(guò)率≥85%；
（2）5G 通訊用微晶玻璃：透過(guò)率（t=0.68mm，λ=550nm）≥91%，熱傳導(dǎo)率（25℃）≥1.5W/m.K，維氏硬度 Hv0.2/20-強(qiáng)化≥790×107Pa，化學(xué)穩(wěn)定性（損失量）（5%HCl，95℃，24h）0.1mg/cm2，（5%NaOH，95℃，6h）≤0.2mg/cm2，跌落測(cè)試破摔高度：≥2000mm（測(cè)試條件：t=0.68mm，測(cè)試面：80目砂紙，SiC顆粒；40g負(fù)重，測(cè)試總重60g）。
5、高純氧化鋁及球形氧化鋁粉
性能要求：
（1）高純氧化鋁（4N）：純度≥99.99%，比表面3～5m2/g，D500.5～20μm；
（2）高純氧化鋁（5N）：純度≥99.999%，比表面：1.7m2/g，D50：5μm，松裝密度：0.27g/cm3，平均孔徑：10.5nm；
（3）球形氧化鋁粉：Al2O3≥99.7%，SiO2≤0.03%，F(xiàn)e2O3≤0.03%，Na2O≤0.02%，EC≤10μs/cm，含濕率≤0.03%，真實(shí)密度3.85±0.1g/cm3，球化率＞90%，白度≥90；
（4）高導(dǎo)熱氧化鋁粉體：產(chǎn)品粒徑＞25μm（D50），氧化鈉≤0.03%，氧化鐵≤0.08%，氧化硅≤0.08%，電導(dǎo)率≤60μs/cm。
6、氮化鋁粉體、陶瓷件及基板
性能要求：
（1）高純氮化鋁粉體：氧含量<0.8wt.%；碳含量<350ppm；鐵含量<10ppm，硅含量<50ppm，鈣含量<200ppm；比表面積≥2.5m2/g。
（2）氮化鋁陶瓷件：熱導(dǎo)率≥180W/(m·K)；抗彎強(qiáng)度≥350MPa；電阻率≥1014Ω·cm。
（3）高導(dǎo)熱氮化鋁基板：熱導(dǎo)率≥200W/(m·K)，抗彎強(qiáng)度＞300MPa。
7、氮化硅基板
性能要求：熱導(dǎo)率≥85W/(m·K)，抗彎強(qiáng)度＞700MPa。
8、氮化硅陶瓷軸承球
性能要求：抗彎強(qiáng)度≥900MPa；斷裂韌性：6～7MPa·m1/2；硬度HV10≥1480kg/mm2；壓碎載荷比≥40%。
9、氮化硼承燒板
性能要求：氮化硼含量＞99.5%；氧含量≤0.15%；密度1.5～1.6g/cm3。
10、電子級(jí)超細(xì)高純球形二氧化硅
性能要求：SiO2＞99.9%，球化率≥99%，D50：0.3～3μm，電導(dǎo)率≤10μS/cm，燒失量≤0.2%。
11、噴射成型耐高溫耐腐蝕陶瓷涂層
性能要求：耐溫1200℃，硬度HV1100，結(jié)合強(qiáng)度45MPa，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿。
12、陶瓷基復(fù)合材料
性能要求：
（1）耐燒蝕C/SiC復(fù)合材料：密度為2.5～3.2g/cm3，室溫拉伸強(qiáng)度≥150MPa，拉伸模量≥120GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，1600℃拉伸強(qiáng)度≥100MPa，耐溫性能≥1800℃，滿足2MW/m2以上熱流環(huán)境下1000s零燒蝕或微燒蝕的要求；
（2）核電用SiC/SiC復(fù)合材料：密度為2.7～2.9g/cm3，室溫拉伸強(qiáng)度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，1200℃拉伸強(qiáng)度≥200MPa，導(dǎo)熱系數(shù)≥20W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)（25℃～1300℃）3～5×10-6/℃；
（3）航空用SiC/SiC復(fù)合材料：密度為2.5～2.9g/cm3，室溫拉伸強(qiáng)度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，1300℃拉伸強(qiáng)度≥200MPa，拉伸模量≥100GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，強(qiáng)度保持率≥80%（1300℃、120MPa應(yīng)力下氧氣環(huán)境熱處理500小時(shí)）。
13、高性能陶瓷基板
性能要求：
（1）高光反射率陶瓷基板：可見(jiàn)光反射率≥97%，抗彎強(qiáng)度≥350MPa，熱導(dǎo)率≥22W/(m·K)；
（2）氧化鋁陶瓷基板：抗彎強(qiáng)度≥700MPa，熱導(dǎo)率≥24W/(m·K)，體積電阻率≥1014Ω·cm。
14、高性能水處理用陶瓷平板膜材料
性能要求：有效過(guò)濾面積0.5±0.004m2，分離膜平均孔徑130～170nm，顯氣孔率35～40%，純水通量（25℃，-40kPa）＞500LMH，彎曲強(qiáng)度＞30MPa，酸堿腐蝕后強(qiáng)度＞20MPa。
15、片式電阻器用電阻漿料
性能要求：漿料阻值范圍：0.1Ω～10MΩ；漿料細(xì)度：≤5μm；電阻溫度系數(shù)：≤±200ppm/℃（阻值范圍0.1Ω～10Ω）；≤±100ppm/℃（阻值范圍10Ω～10MΩ）。